高性能通讯、处事器和狡计系统中的ASIC、FPGA和处理器需要使用能径直从12 V或中间总线生成1.0 V（或更低）电压的中枢电源——最大负载电流巧合候可能高于200 A。这些电源必须满足严格的效果和性能规格，且常常具备相对较小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相双输出降压规矩器为这些电源提供高性能的活泼惩办有磋议。

本文援用地址：

LTC7852/LTC7852-1旨在达成高效果，LTC7852每个相齐不使用里面栅级驱动器，且齐不错生成一个与电源模块、DrMOS，或外部栅极驱动器和分立式MOSFET邻接的PWM输出。DrMOS器件将栅极驱动器和MOSFET集成在一个封装中，以达成举座尺寸更小的惩办有磋议和更高的效果。它们主要适用于12 V输入电压。外部栅极驱动器和MOSFET具有出色的散热性能，而况不错在更高的输入电压下职责。LTC7852遴选亚mΩ DCR检测架构，不错准确检测电流，其DCR值仅为0.2 mΩ，如斯不错大幅缩短传导损耗。LTC7852-1专用于和DrMOS器件配套使用，后者自行提供电流检测信号。

每个输出齐过程差分检测，电压边界为0.5 V至2.0 V（2.0 V限值仅适用于LTC7852），总改造精度为±0.5%。由于LTC7852和LTC7852-1从外部5 V电源偏置，而不是从输入电压偏置，是以改造器的输入电压边界不受IC扬弃。其开关频率边界为250 kHz至1.25 MHz，但其40 ns最小导通时刻不错达成高降压比。

不错通过PHCFG引脚聘请3+3、4+2和5+1双输出相位成立。在3+3成立中，两个输出不错并联用于最大负载电流为240 A的6相改造器。使用一个6相规矩器，而不是两个3相规矩器或三个2相规矩器可大大简化联想和布局。仅需两个规矩器即可达成最高12相操作。

LTC7852遴选5 mm × 6 mm GQFN封装，LTC7852-1遴选4 mm × 5 mm QFN封装。

6相高效果中枢电源

图1所示为1个6相1.0 V/200 A LTC7852改造器，其开关频率为400 kHz，遴选12 V输入。每个相的功率级包含一个5 mm × 5 mm DrMOS和一个0.25 µH铁氧体电感，DCR典型值为0.325 mΩ，最终满负载效果为90.0%（图2）。在室温下满负载，200 LFM气流的热门温度为78°C（图3）。受严格均流影响，电感之间的温差低于6°C。

图 1. 遴选 FDMF5820DC DrMos 的 6 相 1.0 V/200 A LTC7852 改造器的旨趣图 FSWITCH = 400 kHz。

图 2. 图 1 中的电路在 V IN = 7 V 、 10 V 、 12 V 和 14 V 时的效果图。图 3. 图 1 中的电路在 V IN = 12 V 、满负载、 24°C 环境温度和 200 LFM 气流下的热图像。

亚mΩ DCR检测

LTC7852遴选独到的峰值电流口头亚mΩ DCR检测架构来改善电流检测信号的信噪比。电感中的DCR检测滤波器为SNSP和SNSN引脚提供放大的疏导信号。第二个滤波器与第一个级联，为SNSP和SNSAVG引脚提供直流信号。LTC7852放大直流信号，并与疏导信号乞降，以重建信号。重建信号是原始信号的5倍，因此不错在DCR值低至0.2 mΩ时踏实且干净地开动。

输出电流监测和过流保护

LTC7852的IMON1和IMON2信号生成与对应通说念的负载电流呈比例的信号，并以V1P5引脚算作电压基准。此信号可被电源监测器或ADC及微规矩工具于进行负载检测。

逐周期限流是峰值电流口头架构固有的上风。打嗝口头限流提供出奇保护。如若发生过流故障逾越32个周期，则改造器按照软启动电容的成立，在一段时刻内罢手开关。这段休止时刻赶走之后，开关操作通过软启动归附切换。如图4所示，在故障时候，改造器按相对较短的周期开关，这使得MOSFET和电感受到的热应力大大缩短。

图 4. 打嗝口头过流保护和归附。

论断

LTC7852/LTC7852-1是一款活泼的高性能6相双输出降压规矩器，旨在通过DrMOS、电源模块，或外部栅极驱动器和MOSFET提供高效果和高度可靠的电源。其特质包括：亚mΩ DCR检测(LTC7852)、可聘请的相位成立、总改造精度为±0.5%的0.5 V基准电压源、差分输出检测、250 kHz至1.25 MHz的开关频率边界，以及打嗝口头限流保护。

　　声明：新浪网独家稿件，未经授权辞谢转载。 -->